华科博士创业团队专攻半导体新材料 汉产电光调制器芯片速率世界抢先

09-02 918阅读 19评论

  长江网记者 万凌

  树立不满两年的武汉安湃光电有限公司在国内先进半导体工业异军突起——其薄膜铌酸锂电光调制芯片速率是国外同类产品的3倍多,到达世界领先水平。这项技能效果沉淀着8位华科博士长达12年的专业探究。

  首先转向更先进的半导体资料渠道

  安湃光电公司坐落武汉江夏经济开发区庙山光电子信息工业园。

  众所周知,硅芯片因其稳定性和本钱优势占有干流商场。

  安湃光电自主研制的薄膜铌酸锂电光调制芯片速率已到达世界领先水平。记者万凌 摄

  安湃光电总经理孙昊骋记住,早在2012年,硅光芯片亦尚处于试验室研讨水平常,华中科技大学光电国家研讨中心集成光子学研讨部课题组(以下简称课题组)就开端转向研讨光学功能更佳的薄膜铌酸锂资料渠道。

  “其时,国内一家企业现已做出薄膜铌酸锂晶圆的小尺度样片。可是因为铌酸锂的硬度远超硅,其刻蚀难度更大,将铌酸锂薄膜晶圆加工成芯片,比如在花岗岩上雕花,并且没有现成工艺参数可供学习,因而国内许多研讨人员都望而生畏。”孙昊骋说,课题组坚持看好这种更先进的资料渠道,首先探究薄膜铌酸锂刻蚀工艺。新资料加工途径形形色色,研制团队从千次失利效果中探究可能性途径,总算在2016年成功做出高速调制器样片。

  2017至2021年,课题组承接了多项国家重点研制方案项目。尔后,国内多家科研院所景仰找到课题组,将试验室效果转化为商场产品。不久,有合作单位期望扩展产能,课题组看到该技能有宽广的商场前景,开端谋划工业化展开。

  2021年,2520万元的天使出资将该课题组正式推向商场,并树立相对安定的股权架构。

  回武汉布局流片产线

  经由出资方举荐,上海安湃芯研有限公司(以下简称安湃芯研)在嘉定区注册树立,企业选址挨近张江高科技园和姑苏工业园区,便利产品在老练产线上流片。不久,孙昊骋发现,与其他资料渠道共用流片产线导致产品的良率下降。“想完成工业化,仍是得自己建产线。”

  好酒不怕巷子深。2022年,国内闻名私募基金同创伟业的出资人自动登门拜访,期望领投安湃芯研A轮融资并鼓舞公司在武汉树立研制基地和出产线。通过数月商量,公司整体一致同意回武汉。

  考虑到厂房建造的苛刻条件,安湃光电选址江夏经开区庙山光电子信息工业园,树立完好的光刻、刻蚀、镀膜、检测、封装产线,设备国产化程度到达80%。“这儿挨近光谷,距离华科大只要半小时车程,便于团队展开研讨。”

  安湃光电树立了完好的光刻、刻蚀、镀膜、检测、封装产线,产品良率挨近90%。记者万凌 摄

  记者在安湃光电出产车间看到,一间黄光洁净间内,试验人员在阻隔紫外线的环境下,将光刻胶图画转移到薄膜铌酸锂铌酸锂晶圆上。

  “3年前,咱们的产品良率不到40%。通过每年20次迭代,现在,产品良率挨近90%。”孙昊骋说,国内企业研制的上一代体资料调制器速率落后于世界水平,而安湃光电自研的薄膜铌酸锂光子芯片光传输速率是国外同类产品的3倍多,可广泛使用于微波光子范畴、数据中心光模块和长距离相干通讯光模块。

  现在,这款产品现已使用在我国时频传递范畴,其作业让相距数百公里的不同站点的时差控制在毫秒以下多个数量级。未来,在人工智能、光通讯等高速使用场景下,在800G、1.6T、32T光通讯模块的技能支持下,安湃光电研制的薄膜铌酸锂光子芯片将完成大模型集群之间互联互通。“不只信息传输速率进步,咱们的芯片还可耐受—40℃至—80℃的恶劣环境。”孙昊骋说,估计到2028年,公司产能有望到达500万颗薄膜铌酸锂光子芯片,年营收可超越7亿元。

  (值勤总修改 陈志远 值勤主任 陈琦 值勤修改 代婧怡)  

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刻胶图画转移到薄膜铌酸锂铌酸锂晶圆上。   “3年前,咱们的产品良率不到40%。通过每年20次迭代,现在,产品良率挨近90%。”孙昊骋说,国内企业研制的上一代体资料调制器速率落后于世界水平,而安湃光电自研的薄膜铌酸锂光子芯片光传输速率是国外同类产品的3倍多,可广泛使用于微波
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制团队从千次失利效果中探究可能性途径,总算在2016年成功做出高速调制器样片。   2017至2021年,课题组承接了多项国家重点研制方案项目。尔后,国内多家科研院所景仰找到课题组,将试验室效果
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湃光电研制的薄膜铌酸锂光子芯片将完成大模型集群之间互联互通。“不只信息传输速率进步,咱们的芯片还可耐受—40℃至—80℃的恶劣环境。”孙昊骋说,估计到2028年,公司产能
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江夏经开区庙山光电子信息工业园,树立完好的光刻、刻蚀、镀膜、检测、封装产线,设备国产化程度到达80%。“这儿挨近光谷,距离华科大只要半小时车程,便于团队展开研讨。”   安湃光电树立了完好的光刻、刻蚀、镀膜、检测、封装产线,产品良率挨近90%。记者万凌 摄   
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开研讨。”   安湃光电树立了完好的光刻、刻蚀、镀膜、检测、封装产线,产品良率挨近90%。记者万凌 摄   记者在安湃光电出产车间看到,一间黄光洁净间内,试验人员在阻隔紫外线的环境
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  长江网记者 万凌   树立不满两年的武汉安湃光电有限公司在国内先进半导体工业异军突起——其薄膜铌酸锂电光调制芯片速率是国外同类产品的3倍多,到达世界领先水平。这项技能效果沉淀着8位华科博士长达12年的专业探究。   首先转向更先进的半导体资料渠道   安湃
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←绯色浮華 V 游客 7楼
光刻、刻蚀、镀膜、检测、封装产线,设备国产化程度到达80%。“这儿挨近光谷,距离华科大只要半小时车程,便于团队展开研讨。”   安湃光电树立了完好的光刻、刻蚀、镀膜、检测、封装产线,产品良率挨近90%。记者万凌 摄   记者在安湃光电出产车间看到,一间黄光洁净间内,试
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欢愁百缕 V 游客 8楼
  长江网记者 万凌   树立不满两年的武汉安湃光电有限公司在国内先进半导体工业异军突起——其薄膜铌酸锂电光调制芯片速率是国外同类产品的3倍多,到达世界领先水平。这项技能效果沉淀着8位华科博士长达12年的专业探
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谈雅红 V 游客 9楼
芯片光传输速率是国外同类产品的3倍多,可广泛使用于微波光子范畴、数据中心光模块和长距离相干通讯光模块。   现在,这款产品现已使用在我国时频传递范畴,其作业让相距数百公里的不同站点的时差控制在毫秒以下多个数量级。未来,在人工智能、光通讯等高速使用场景下,在800G、1
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畏。”孙昊骋说,课题组坚持看好这种更先进的资料渠道,首先探究薄膜铌酸锂刻蚀工艺。新资料加工途径形形色色,研制团队从千次失利效果中探究可能性途径,总算在2016年成功做出高速调制器样片。   2017至2021年,课题
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将恩怨埋葬 V 游客 11楼
  经由出资方举荐,上海安湃芯研有限公司(以下简称安湃芯研)在嘉定区注册树立,企业选址挨近张江高科技园和姑苏工业园区,便利产品在老练产线上流片。不久,孙昊骋发现,与其他资料渠道共用流片产线导致产品的良率下降。“想完成工业化,仍是得
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母猪佩奇 V 游客 12楼
  长江网记者 万凌   树立不满两年的武汉安湃光电有限公司在国内先进半导体工业异军突起——其薄膜铌酸锂电光调制芯片速率是国外同类产品的3倍多,到达世界领先水平。这项技能效果沉淀着8位华科博士长达12年的专业探究。   首先转向更先进的半导体资料渠道   安湃光电公司坐落武汉江夏经济开
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,其作业让相距数百公里的不同站点的时差控制在毫秒以下多个数量级。未来,在人工智能、光通讯等高速使用场景下,在800G、1.6T、32T光通讯模块的技能支持下,安
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半小时车程,便于团队展开研讨。”   安湃光电树立了完好的光刻、刻蚀、镀膜、检测、封装产线,产品良率挨近90%。记者万凌 摄   记者在安湃光电出产车间看到,一间黄光洁净间内,试验人员在阻隔紫外线的环境下,将光刻胶图画
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我国时频传递范畴,其作业让相距数百公里的不同站点的时差控制在毫秒以下多个数量级。未来,在人工智能、光通讯等高速使用场景下,在800G、1.6T、32T光通讯模块的技能支持下,安湃光电研制的薄膜铌酸锂光子芯片将完成
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,公司产能有望到达500万颗薄膜铌酸锂光子芯片,年营收可超越7亿元。   (值勤总修改 陈志远 值勤主任 陈琦 值勤修改 代婧怡)  
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率已到达世界领先水平。记者万凌 摄   安湃光电总经理孙昊骋记住,早在2012年,硅光芯片亦尚处于试验室研讨水平常,华中科技大学光电国家研讨中心集成光子学研讨部课题组(以下简称课题组)就开端转向研讨光学功能更佳
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今天干我儿 V 游客 18楼
  长江网记者 万凌   树立不满两年的武汉安湃光电有限公司在国内先进半导体工业异军突起——其薄膜铌酸锂电光调制芯片速率是国外同类产品的3倍多,到达世界领先水平。这项技能效果沉淀着8位华科博士长达12年的专业探究。   首先转向更先进的半导体资料
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刁娜竹 V 游客 19楼
总算在2016年成功做出高速调制器样片。   2017至2021年,课题组承接了多项国家重点研制方案项目。尔后,国内多家科研院所景仰找到课题组,将试验室效果转化为商场产品。不久,有合作单位期望扩展产能,课题组看到该技能有宽广的商场前景,开端谋划工业化展
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